基于改进TRL校准算法的二极管参数测量

YI Bo; WANG Wei; LIU Peiguo; YANG Cheng; DONG Yanfei; LIU Chenxi; LI Yan

doi:10.3969/j.issn.1673-3185.2015.02.023

YI Bo, WANG Wei, LIU Peiguo, YANG Cheng, DONG Yanfei, LIU Chenxi, LI Yan. 基于改进TRL校准算法的二极管参数测量[J]. Chinese Journal of Ship Research, 2015, 10(2): 121-124. DOI: 10.3969/j.issn.1673-3185.2015.02.023

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基于改进TRL校准算法的二极管参数测量

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加载二极管的频率选择表面和能量选择表面（以下统称“自激励表面”）具有自适应的防护特征，能够防护强电磁攻击。二极管本身参数的测量是自激励表面设计中重要的环节，准确测得二极管特征参数对于设计出满足需求的防护表面至关重要。介绍传统去嵌入法，针对传统去嵌入法存在校准件制作精度要求高、相位延时有范围的缺点，改进了用于二极管参数测量的去嵌入算法；测量几种不同PIN型号的二极管，通过对比PIN参数手册与测试结果，验证了测试方法的有效性。

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